--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 描述 GaAs HEMT MMIC 低噪聲放大器,1 - 12
- 頻率 1 至 12 GHz
- 獲得 17分貝
- 噪聲系數(shù) 1.75分貝
- 輸出功率 19分貝
--- 產(chǎn)品詳情 ---
HMC-ALH444
Analog Devices 的 HMC-ALH444-Die 是一款射頻放大器,頻率為 1 至 12 GHz,增益為 17 dB,噪聲系數(shù)為 1.75 dB,輸出功率為 19 dBm,輸出功率為 0.08 W。標(biāo)簽:低噪聲放大器。有關(guān) HMC-ALH444-Die 的更多詳細信息,請參見下文。
HMC-ALH444是一款GaAs MMIC HEMT低噪聲寬帶放大器芯片,工作頻率范圍為1至12 GHz。該放大器提供17 dB增益、1.5 dB噪聲系數(shù)和+19 dBm輸出功率(1 dB增益壓縮),采用+5V電源電壓時功耗僅為55 mA。
應(yīng)用
- 寬帶通信系統(tǒng)
- 監(jiān)控系統(tǒng)
- 點對點無線電
- 點對多點無線電
- 軍事和太空
- 測試儀器儀表
- VSAT
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號
HMC-ALH444-模具
制造商
模擬設(shè)備
描述
GaAs HEMT MMIC 低噪聲放大器,1 - 12 GHz
一般參數(shù)
類型
低噪聲放大器
配置
死
應(yīng)用
無線電、點對點、點對多點
行業(yè)應(yīng)用
航空航天與國防、無線基礎(chǔ)設(shè)施、廣播
頻率
1 至 12 GHz
獲得
17分貝
噪聲系數(shù)
1.75分貝
輸出功率
19分貝
輸出功率
0.08 瓦
P1dB
19分貝
P1dB
0.079 瓦
IP3
28分貝
IP3
0.63 瓦
阻抗
50 歐姆
電源電壓
5伏
目前的消費
55毫安
晶體管技術(shù)
砷化鎵 HEMT
技術(shù)
砷化鎵
方面
2.64 x 1.64 x 0.1 毫米
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