--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 零件號 MA4AGSW1A
- 描述 50 MHz 至 50 GHz 的 SPST 引腳二極管開關(guān)
- 配置 單刀單擲
- 頻率 50 MHz 至 50 GHz
--- 產(chǎn)品詳情 ---
MA4AGSW1A
MA4AGSW1A
AlGaAs 吸收劑
MACOM 的 MA4AGSW1A 是一種鋁-鎵-砷、單刀單擲 (SPST) 吸收性 PIN 二極管開關(guān)。該開關(guān)采用增強型 AlGaAs 陽極,采用 MACOM 的專利異質(zhì)結(jié)技術(shù)形成。與使用傳統(tǒng) GaAs 工藝制造的器件相比,AlGaAs 技術(shù)產(chǎn)生的開關(guān)損耗更少。在 50GHz 時可實現(xiàn)多達(dá) 0.3dB 的插入損耗降低。該器件是在 OMCVD 外延晶片上制造的,采用的工藝旨在實現(xiàn)高器件均勻性和極低寄生效應(yīng)。芯片內(nèi)的PIN二極管表現(xiàn)出低串聯(lián)電阻、低電容和快速開關(guān)速度。它們用氮化硅完全鈍化,并具有額外的聚合物層以保護(hù)劃痕。保護(hù)涂層可防止在處理和組裝過程中對二極管結(jié)以及陽極空氣橋造成損壞。將需要片外偏置電路。
MACOM 的 MA4AGSW1A 是一款射頻開關(guān),頻率為 50 MHz 至 50 GHz,插入損耗 1.2 dB,隔離度 30 dB,功率 23 dBm,功率 0.2 W。標(biāo)簽:表面貼裝,固態(tài)。MA4AGSW1A 的更多細(xì)節(jié)可以在下面看到。
特征
- 超寬帶寬:50 MHz 至 50 GHz
- 50GHz 時 0.5dB 插入損耗
- 功能帶寬:50 MHz 至 70 GHz
- 低電流消耗,-5V 用于低損耗狀態(tài)
- 50 GHz 時 46 dB 隔離
- 氮化硅鈍化
- 低電流消耗,+10mA 用于隔離狀態(tài)
- 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)*
- 聚合物劃痕保護(hù)
- 260°C 回流兼容
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號
MA4AGSW1A
制造商
馬康
描述
50 MHz 至 50 GHz 的 SPST 引腳二極管開關(guān)
一般參數(shù)
類型
固體狀態(tài)
配置
單刀單擲
終止
吸收性
應(yīng)用
ISM 樂隊
應(yīng)用行業(yè)
軍事、太空
頻率
50 MHz 至 50 GHz
插入損耗
1.2分貝
隔離
30分貝
力量
23分貝
力量
0.2 瓦
包裝類型
表面貼裝
技術(shù)
針式二極管
RoHS
是的
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