MASW-002103-1363
HMIC硅PIN二極管
MASW-002103-1363 是一種 SPDT、超越、寬帶、單片開關，使用兩組串聯(lián)和并聯(lián)連接的 PIN 二極管。該器件設計用于高達 20 GHz 的寬帶、中低信號、高性能、開關應用。它是一種表面貼裝開關，配置用于優(yōu)化性能，與 MMIC、光束引線和芯片和導線混合設計相比具有明顯優(yōu)勢。
HMIC硅PIN二極管
MASW-002103-1363 是一種 SPDT、超越、寬帶、單片開關，使用兩組串聯(lián)和并聯(lián)連接的 PIN 二極管。該器件設計用于高達 20 GHz 的寬帶、中低信號、高性能、開關應用。它是一種表面貼裝開關，配置用于優(yōu)化性能，與 MMIC、光束引線和芯片和導線混合設計相比具有明顯優(yōu)勢。由于 MASW-002103-1363 的 PIN 二極管集成到芯片中并保持在非常接近的位置，因此通常與使用單個組件的其他設計相關的寄生效應保持在最低限度。為了最大限度地減少寄生效應并實現(xiàn)高性能，MASW-002103-1363 采用 MACOM 的專利 HMIC?（異石微波集成電路）工藝制造。這個過程允許硅基座，形成串聯(lián)和并聯(lián)二極管或通孔，嵌入低損耗、低色散玻璃中。低損耗玻璃和在元件之間使用緊密間距的組合使 HMIC 設備通過低毫米波頻率具有低損耗和高隔離度。頂面完全用氮化硅封裝，還有一層額外的聚合物層，用于防刮擦和防沖擊。保護涂層可防止在處理和組裝過程中損壞接頭和陽極氣橋。在芯片的背面添加了金金屬化焊盤，以生產可焊接的超越器件。低損耗玻璃和在元件之間使用緊密間距的組合使 HMIC 設備通過低毫米波頻率具有低損耗和高隔離度。頂面完全用氮化硅封裝，還有一層額外的聚合物層，用于防刮擦和防沖擊。保護涂層可防止在處理和組裝過程中損壞接頭和陽極氣橋。在芯片的背面添加了金金屬化焊盤，以生產可焊接的超越器件。低損耗玻璃和在元件之間使用緊密間距的組合使 HMIC 設備通過低毫米波頻率具有低損耗和高隔離度。頂面完全用氮化硅封裝，還有一層額外的聚合物層，用于防刮擦和防沖擊。保護涂層可防止在處理和組裝過程中損壞接頭和陽極氣橋。在芯片的背面添加了金金屬化焊盤，以生產可焊接的超越器件。
特征
- 工作頻率為 50 MHz 至 20 GHz
- 聚合物劃痕保護
- 氮化物鈍化
- +25°C 時高達 +38 dBm 的 CW 功率處理能力
- 玻璃封裝結構
- 符合 Surmount 封裝，完全單片
- 低寄生電容和電感
- 高隔離
- 低插入損耗
- 最多可使用 26 個
- 可焊
MASWCC0010 MASWSS0166 MAMF-010614
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MASWSS0162 MASWSS0184 MASW-002103-1363
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MASW-011036 MASWCC0006 MASWSS0144
