MAVR-000120-14110P
GaAs超突變
MACOM 的 MAVR-000120-1411 是一種砷化鎵倒裝芯片超突變變?nèi)荻O管。該器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的，采用專(zhuān)為實(shí)現(xiàn)高器件均勻性和極低寄生效應(yīng)而設(shè)計(jì)的工藝。該二極管已用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚酰亞胺層以防止劃傷。保護(hù)涂層可防止在自動(dòng)或手動(dòng)處理過(guò)程中損壞接頭。倒裝芯片配置適用于拾取和放置插入。
GaAs超突變
MACOM 的 MAVR-000120-1411 是一種砷化鎵倒裝芯片超突變變?nèi)荻O管。該器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的，采用專(zhuān)為實(shí)現(xiàn)高器件均勻性和極低寄生效應(yīng)而設(shè)計(jì)的工藝。該二極管已用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚酰亞胺層以防止劃傷。保護(hù)涂層可防止在自動(dòng)或手動(dòng)處理過(guò)程中損壞接頭。倒裝芯片配置適用于拾取和放置插入。
特征
- 過(guò)去 70GHz 可用
- 可以用焊料或?qū)щ姯h(huán)氧樹(shù)脂安裝。
- 可承受 500 次溫度循環(huán)（-65 攝氏度至 +150 攝氏度），使用 96.5Sn/3.5Ag 焊料安裝，無(wú)機(jī)械退化。
- 提供口袋膠帶和卷軸。
- 無(wú)鉛（符合 RoHs 標(biāo)準(zhǔn)）
- 表面貼裝配置
- 聚酰亞胺劃痕保護(hù)
- 氮化硅鈍化
- 高Q值
- 低寄生電容
- 用于線(xiàn)性調(diào)諧的恒定伽瑪
產(chǎn)品規(guī)格
零件號(hào)
MAVR-000120-14110P
描述
GaAs超突變
伽馬
1.00
總電容(pF)
0.350
品質(zhì)因數(shù) @ 50 MHz，最小值
3000
擊穿電壓(V)
20
包裹
倒裝芯片芯片
包裹類(lèi)別
可焊表面貼裝芯片
MAVR-045445-0287AT MAVR-000080-0287AT MAVR-000240-11410T
MAVR-001320-1146FT MAVR-000202-12790T MAVR-045436-0287FT
MAVR-001330-1146FT MAVR-000350-11410T MAVR-000407-0287FT
MAVR-045441-0287FT MAVR-000081-0287FT MAVR-011005-12790T
MAVR-001230-12790T MAVR-000250-0287FT MAVR-000250-11410T
MAVR-000403-0287AT MAVR-000120-14110P MA144769-287T
MAVR-000250-0287AT MAVR-000250-12790T MAVR-000250-1146AT
MAVR-000250-1146FT MAVR-044767-0287AT MAVR-000120-14110G
MAVR-044769-0287FT MAVR-044769-12790T MAVR-044767-12790T
MGV125-20 MGV125-09 MGV100-24-0805-2
