MA4GP030
GaAs PIN 二極管芯片
在許多微波半導(dǎo)體應(yīng)用中，砷化鎵 PIN 二極管提供優(yōu)于硅的性能特征。這些優(yōu)勢(shì)源于 GaAs 的固有半導(dǎo)體特性。其固有的高載流子遷移率導(dǎo)致低電阻快速開(kāi)關(guān)器件。I 區(qū)層中的低載流子濃度產(chǎn)生接近零的穿通偏置電壓。砷化鎵的高帶隙也確保它可以在高工作溫度下工作。GaAs PIN 二極管可以使用廉價(jià)的 TTL 緩沖器邏輯實(shí)現(xiàn)低納秒范圍內(nèi)的開(kāi)關(guān)速度。之所以能夠?qū)崿F(xiàn)這種性能，是因?yàn)?GaAs PIN 二極管在正偏壓（高達(dá) 0.5V）時(shí)表現(xiàn)出高阻抗。許多 GaAs PIN 二極管應(yīng)用不需要反向偏置。低損耗，
GaAs PIN 二極管芯片
在許多微波半導(dǎo)體應(yīng)用中，砷化鎵 PIN 二極管提供優(yōu)于硅的性能特征。這些優(yōu)勢(shì)源于 GaAs 的固有半導(dǎo)體特性。其固有的高載流子遷移率導(dǎo)致低電阻快速開(kāi)關(guān)器件。I 區(qū)層中的低載流子濃度產(chǎn)生接近零的穿通偏置電壓。砷化鎵的高帶隙也確保它可以在高工作溫度下工作。GaAs PIN 二極管可以使用廉價(jià)的 TTL 緩沖器邏輯實(shí)現(xiàn)低納秒范圍內(nèi)的開(kāi)關(guān)速度。之所以能夠?qū)崿F(xiàn)這種性能，是因?yàn)?GaAs PIN 二極管在正偏壓（高達(dá) 0.5V）時(shí)表現(xiàn)出高阻抗。許多 GaAs PIN 二極管應(yīng)用不需要反向偏置。低損耗，
特征
- 可由 TTL 信號(hào)直接驅(qū)動(dòng)
- 不需要反向偏置
- 快速切換速度
- 低串聯(lián)電阻
- 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
- 航天與國(guó)防
- 主義
產(chǎn)品規(guī)格
零件號(hào)
MA4GP030
描述
GaAs PIN 二極管芯片
擊穿電壓，最小值(V)
100
電阻（歐姆）
2.00
總電容(pF)
0.060
壽命(nS)
25
連續(xù)波功耗(W)
0.3
包裹
ods-277
包裹類(lèi)別
表面貼裝芯片
最小頻率(MHz)
100
最大頻率(MHz)
40000
MA47418-134現(xiàn)貨
MA47600-54現(xiàn)貨
MA4AGBLP912現(xiàn)貨
MA4AGFCP910現(xiàn)貨
MA4AGP907現(xiàn)貨
MA4FCP200現(xiàn)貨
MA4FCP300現(xiàn)貨
MA4FCP305現(xiàn)貨
MA4GP022現(xiàn)貨
MA4GP030現(xiàn)貨
MA4GP905現(xiàn)貨
MA4GP907現(xiàn)貨
MA4P1200-401現(xiàn)貨
MA4P1200-401T現(xiàn)貨
MA4P1200NM-401T現(xiàn)貨
MA4P1250-1072T現(xiàn)貨
MA4P1250NM-1072T現(xiàn)貨
MA4P1450-1091T現(xiàn)貨
