NPT1004D
GaN 放大器 28 V，45 W，直流 - 4 GHz
NPT1004 GaN HEMT 是一款針對(duì) DC - 4 GHz 運(yùn)行優(yōu)化的功率晶體管。該器件支持 CW、脈沖和線性操作，輸出功率水平高達(dá) 45 W。該晶體管采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝塑料封裝。
特征
- 針對(duì) DC - 4 GHz 的脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE 和其他輕熱負(fù)載應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
- 45 W P3dB CW 功率
- 13.5 dB 小信號(hào)增益
- 55% 效率 @ P3dB
- 熱增強(qiáng)型表面貼裝 SOIC 封裝
- 高可靠性鍍金工藝
- 受 EAR99 出口管制
產(chǎn)品規(guī)格
零件號(hào)
NPT1004D
描述
GaN 放大器 28 V，45 W，直流 - 4 GHz
最小頻率(MHz)
0
最大頻率(MHz)
4000
電源電壓(V)
28
PSAT(W)
45.0
增益（分貝）
13.0
效率
55
測(cè)試頻率(GHz)
2.50
包裹
SOIC8NE
包裹類別
塑料
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