--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 最低頻率(MHz) 直流電
- 最大頻率(MHz) 4,000
- 增益(分貝) 24.7
- 飽和度(dBm) 40.4
- PAE (%) 70
- 電壓(伏) 50
- Idq (毫安) 18
- 包裝類型 QFN
- 包裝(毫米) 3×3
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 QPD1010 是 SiC HEMT 上的 10 W (P3dB) 分立式 GaN,工作頻率范圍為 DC 至 4 GHz。該器件采用 Qorvo 經(jīng)驗證的 QGaN25HV 工藝構(gòu)建,該工藝采用先進的場板技術(shù),可在高漏極偏置工作條件下優(yōu)化功率和效率。就更少的放大器陣容和更低的熱管理成本而言,這種優(yōu)化可能會降低系統(tǒng)成本。
該器件采用行業(yè)標準的 3 x 3 mm 表面貼裝 QFN 封裝。
產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 4,000
增益(分貝) 24.7
飽和度(dBm) 40.4
PAE (%) 70
電壓(伏) 50
Idq (毫安) 18
包裝類型 QFN
包裝(毫米) 3×3
主要特征
頻率范圍:DC - 4 GHz
輸出功率 (P3dB):2 GHz 時為 11 W
線性增益:2 GHz 時典型值為 24.7 dB
典型 PAE3dB:2 GHz 時為 70%
工作電壓:50V
低熱阻封裝
CW 和脈沖能力
3 x 3 毫米封裝
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