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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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TGF2023-2-10 分立式功率 GaN

型號(hào): TGF2023-2-10

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最低頻率(MHz) 直流電
  • 最大頻率(MHz) 14,000
  • 增益(分貝) 19.8
  • 飽和度(dBm) 47.3
  • PAE (%) 69.5
  • 電壓(伏) 12 至 32
  • Idq (毫安) 200 到 1,000

--- 產(chǎn)品詳情 ---

TGF2023-2-10

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
Qorvo 的 TGF2023-2-10 是一款分立式 10 mm GaN on SiC HEMT,工作頻率范圍為 DC 至 14 GHz。
TGF2023-2-10 通常提供 47.4 dBm 的飽和輸出功率,在 3 GHz 時(shí)具有 19.8 dB 的功率增益。最大功率附加效率為 69.5%,這使得 TGF2023-2-10 適合高效應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 14,000
增益(分貝) 19.8
飽和度(dBm) 47.3
PAE (%) 69.5
電壓(伏) 12 至 32
Idq (毫安) 200 到 1,000

 

主要特征
頻率范圍:直流至 14 GHz
3 GHz 時(shí)標(biāo)稱 Psat 為 47.4 dBm
69.5% 最大 PAE
19.8 dB 標(biāo)稱功率增益
偏置:V D = 12 至 32 V,I DQ = 200 - 1000 mA
芯片尺寸:0.82 x 2.48 x 0.10 毫米

 

相關(guān)型號(hào)
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T1G4020036-FL
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