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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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ZXTN2018F NPN 中功率 晶體管

型號(hào)： ZXTN2018F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 是的
  • 合規(guī)性 汽車
  • Polarity NPN
  • VCEO, VCES 60
  • IC (A) 5
  • ICM (A) 12
  • PD (W) 1
  • fT (MHz) 130
  • RCE(sat) 25

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXTN2018F

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXTN2018F 先進(jìn)的工藝能力和封裝設(shè)計(jì)已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設(shè)備的緊湊尺寸和額定值使其非常適合空間非常寶貴的應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn)  是的
合規(guī)性（只有汽車支持 PPAP） 汽車
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 60
IC (A) 5
ICM (A) 12
PD (W) 1
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 40
hFE (@ IC2) (A) 5
VCE(sat) Max (mV) 30
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/5
VCE(sat) (Max.2) (mV) 110
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/50
fT (MHz) 130
RCE(sat) (mΩ) 25

 

主要特征
更高的功耗SOT23封裝
高峰值電流
低飽和電壓
140V正向阻斷電壓

 

相關(guān)型號(hào)
ZXTN19100CG
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ZXTN2010Z
ZXTN2010ZQ
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ZXTN2011Z
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