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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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ZXTN25012EFH NPN 中功率 晶體管

型號： ZXTN25012EFH

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 類別 低飽和晶體管
  • 合規(guī)性 標(biāo)準(zhǔn)
  • Polarity NPN
  • VCEO, VCES 12
  • IC (A) 6
  • ICM (A) 15
  • PD (W) 1.25
  • fT (MHz) 260
  • RCE(sat) 23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXTN25012EFH 

 產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXTN25012EFH 先進(jìn)的工藝能力和封裝設(shè)計(jì)已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設(shè)備的緊湊尺寸和額定值使其非常適合空間非常寶貴的應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
類別  低飽和晶體管
合規(guī)性（只有汽車支持 PPAP） 標(biāo)準(zhǔn)
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 12
IC (A) 6
ICM (A) 15
PD (W) 1.25
hFE (Min) 500
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 300
hFE (@ IC2) (A) 4
VCE(sat) Max (mV) 32
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 1/100
VCE(sat) (Max.2) (mV) 75
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/40
fT (MHz) 260
RCE(sat) (mΩ) 23

 

主要特征
高功耗SOT23封裝
高峰值電流
非常高的增益
低飽和電壓
6V反向阻斷電壓

 

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