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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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ZXTP56020FDBQ 雙PNP 低飽和 晶體管

型號(hào)： ZXTP56020FDBQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) ZXTP56020FDBQ
  • 名稱 雙PNP低飽和晶體管
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXTP56020FDBQ

 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXTP56020FDBQ（雙路 PNP，20V，2A，DFN2020-6 (SWP)）這種雙極結(jié)型晶體管（BJT）設(shè)計(jì)用于滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌       DIODES
型號(hào)       ZXTP56020FDBQ
名稱        雙PNP低飽和晶體管
產(chǎn)地       臺(tái)灣
封裝       DFN2020-6

 

產(chǎn)品參數(shù)
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity PNP + PNP
VCEO, VCES (V) 20
IC (A) 2
ICM (A) 3
PD (W) 2.47
hFE (Min) 250
hFE (@ IC) (A) 0.1
hFE(Min 2) 160
hFE (@ IC2) (A) 1
VCE(sat) Max (mV) 110
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.5/50
VCE(sat) (Max.2) (mV) 200
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 0.7/7
fT (MHz) N/A
RCE(sat) (mΩ) 220

 

主要特征
BVCEO > -20V
IC = -2A 高連續(xù)集電極電流
RCE(SAT) = 100mΩ 用于低等效導(dǎo)通電阻
低飽和電壓 VCE(SAT) < -150mV @ -1A
AOI 中可濕性側(cè)壁的側(cè)壁鍍錫
PD 高達(dá) 2.47W，適用于功率要求高的應(yīng)用
適用于薄型應(yīng)用的薄型 0.6mm 高封裝

 

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