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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMC1018UPDWQ 互補對增強模式 MOSFET 晶體管

型號： DMC1018UPDWQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMC1018UPDWQ
  • 名稱 互補對增強模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI5060-8/SWP (Type UXD)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMC1018UPDWQ 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMC1018UPDWQ 這種MOSFET設(shè)計用于滿足汽車應(yīng)用。它符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，由PPAP，非常適合用于：
電機控制
電源管理功能
DC-DC轉(zhuǎn)換器


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMC1018UPDWQ
名稱            互補對增強模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝            PowerDI5060-8/SWP (Type UXD)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 12, 20 V
|VGS| (±V) 8, 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10, 6.7 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 31.3, 20.9 A
PD @TA = +25°C (W) 2.6 W
PD @TC = +25°C (W) 25 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 17, 38 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 25, 53 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.6, 0.6 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.5, 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 17.1, 8.6 nC
CISS Typ (pF) 1525, 866 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6, 6 V


主要特征
100% 非鉗位感應(yīng)開關(guān)、生產(chǎn)測試 – 確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應(yīng)用
高轉(zhuǎn)換效率
低 RDS(ON) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
低輸入電容
開關(guān)速度快
用于改進(jìn)光學(xué)檢測的可潤濕側(cè)面


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