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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMHC4035LSD 互補(bǔ)增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

型號： DMHC4035LSD

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMHC4035LSD
  • 名稱 40V 互補(bǔ)增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SO-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMHC4035LSD

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMHC4035LSD 這款新一代互補(bǔ) MOSFET H 橋具有低導(dǎo)通電阻，可通過低柵極驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMHC4035LSD
名稱            40V 互補(bǔ)增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝            SO-8

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity 2N2P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 4.5, 3.7 A
PD @TA = +25°C (W) 1.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 45, 65 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 58, 100 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1, 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 3, 3 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 12.5, 11.1 nC
CISS Typ (pF) 574, 587 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20, 20 V


主要特征
SOIC 封裝中的 2 x N + 2 x P 通道
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快


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