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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2020UFCL 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號： DMN2020UFCL

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2020UFCL
  • 名稱 N溝道MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 X1-DFN1616-6Type E

--- 產(chǎn)品詳情 ---

 

DMN2020UFCL

產(chǎn)品簡介 
DIODES 的 DMN2020UFCL這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (R DS(ON) )，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2020UFCL
名稱               N溝道MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               X1-DFN1616-6Type E

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9 A
PD @TA = +25°C (W) 0.61 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 14 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 20 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 26 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 0.9 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 21.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 49 nC
CISS Typ (pF) 1788 pF

 

主要特征
0.5mm的典型板外輪廓-非常適合薄應(yīng)用程序
低RDS（ON）–最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
印刷電路板占地面積2.56mm2
ESD保護(hù)門


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