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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2400UV 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMN2400UV

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2400UV
  • 名稱 N溝道MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT563

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2400UV 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2400UV 這種新一代MOSFET的設(shè)計目的是將導(dǎo)通電阻（RDS（on）），同時保持卓越的切換性能，使其成為高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2400UV
名稱               N溝道MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               SOT563


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.33 A
PD @TA = +25°C (W) 0.53 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 700 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 900 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 0.9 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.5 nC
CISS Typ (pF) 38 pF

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
快速切換速度
低輸入/輸出泄漏


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