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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN24H11DS 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN24H11DS

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN24H11DS
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN24H11DS 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN24H11DS 這種新一代MOSFET的設(shè)計(jì)目的是將導(dǎo)通電阻（RDS（on）），同時(shí)保持卓越的切換性能，使其成為高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN24H11DS
名稱               N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               SOT23


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 240 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.27 A
PD @TA = +25°C (W) 1.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 11000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 12000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 3.7 nC
CISS Typ (pF) 76.8 pF

 

主要特征
低柵極閾值電壓
低輸入電容
快速切換速度
小型表面安裝封裝


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