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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2990UFZ N溝道 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN2990UFZ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN2990UFZ
  • 名稱 N溝道MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 X2-DFN0606-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2990UFZ 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2990UFZ 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON）），同時(shí)保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN2990UFZ
名稱               N溝道MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               X2-DFN0606-3


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.25 A
PD @TA = +25°C (W) 0.32 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 990 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 1200 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1800 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.5 nC
CISS Typ (pF) 28 pF

 

主要特征
低封裝外形，最大封裝高度0.42mm
0.62mm x 0.62mm封裝外形
低導(dǎo)通電阻
極低柵極閾值電壓，最大1.0V
ESD保護(hù)門

 

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