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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN3010LK3 N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMN3010LK3

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN3010LK3
  • 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 TO252-3L

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN3010LK3 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN3010LK3 這種新一代MOSFET的設(shè)計目的是將導(dǎo)通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））并且仍然保持優(yōu)異的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN3010LK3
名稱                N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                TO252-3L

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 13.1 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 9.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 11.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 16.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 37 nC
CISS Typ (pF) 2075 pF

 


主要特征
低RDS（ON）–確保最大限度地減少狀態(tài)損耗
小尺寸的熱效率封裝使
密度最終產(chǎn)品

 

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