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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN3016LPS 30V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN3016LPS

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN3016LPS
  • 名稱 30V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 POWERDI5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN3016LPS  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN3016LPS 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMN3016LPS
名稱                30V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                 POWERDI5060-8

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.8 A
PD @TA = +25°C (W) 2.75 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 12 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 16 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 11.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 25.1 nC
CISS Typ (pF) 1415 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
<1.1mm 封裝外形 – 薄型應(yīng)用的理想選擇

 

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