--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號(hào) DMN3900UFA
- 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺(tái)灣
- 封裝 X2-DFN0806-3
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN3900UFA 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN3900UFA
名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 X2-DFN0806-3
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.65 A
PD @TA = +25°C (W) 0.49 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 760 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 930 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1500 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 0.95 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.7 nC
CISS Typ (pF) 42.2 pF
主要特征
0.4mm超薄封裝,適用于薄型應(yīng)用
0.48平方米
封裝占地面積,比SOT23小16倍
低VGS(th),可直接由電池驅(qū)動(dòng)
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