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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMP1045UFY4 P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMP1045UFY4

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMP1045UFY4
  • 名稱(chēng) P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 X2-DFN2015-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP1045UFY4 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMP1045UFY4 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (R DS(on) )，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMP1045UFY4
名稱(chēng)                P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                X2-DFN2015-3


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 32 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 45 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 75 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.3 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 14.7 nC
CISS Typ (pF) 1291 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
切換速度快
低輸入/輸出泄漏
ESD保護(hù)高達(dá)3kV

 

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