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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMP10H088SPS 100V P 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMP10H088SPS

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMP10H088SPS
  • 名稱 100V P 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®5060-8/SWP

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP10H088SPS 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP10H088SPS 這款新一代增強型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMP10H088SPS
名稱                100V P 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                PowerDI?5060-8/SWP


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 20 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
PD @TC = +25°C (W) 70 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 83 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 2 V
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 13.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 27.7 nC
CISS Typ (pF) 1808 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V

 

主要特征
生產(chǎn)中 100% 未鉗位感應(yīng)開關(guān) (UIS) 測試
高轉(zhuǎn)換效率
低 R DS(ON) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
低輸入電容
開關(guān)速度快
用于改進光學(xué)檢測的可潤濕側(cè)面

 

相關(guān)型號
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