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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMP2035UVT P 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMP2035UVT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMP2035UVT
  • 名稱 P 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 TSOT26

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP2035UVT

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP2035UVT 這款新一代 20V P 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同時保持卓越的開關(guān)性能。該設(shè)備非常適合手持式應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMP2035UVT
名稱                P  溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                TSOT26


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 35 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 45 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 62 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 15.4 nC
CISS Typ (pF) 1610 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
低輸入電容
低導(dǎo)通電阻
快速切換速度
ESD保護高達3kV


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