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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMP2040UVT P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMP2040UVT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMP2040UVT
  • 名稱 P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 TSOT26

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP2040UVT  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMP2040UVT 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON）），同時(shí)保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMP2040UVT
名稱                P  溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                TSOT26


產(chǎn)品參數(shù)

AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 38 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 52 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.6 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 19 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 834 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
低輸入電容
低導(dǎo)通電阻
快速切換速度


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