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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMP2110UFDB 雙 P 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMP2110UFDB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMP2110UFDB
  • 名稱 雙 P 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP2110UFDB  

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP2110UFDB 該 MOSFET 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關(guān)性能，這使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMP2110UFDB
名稱                  雙 P  溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  U-DFN2020-6


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.1 A
PD @TA = +25°C (W) 1.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 75 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 110 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 168 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6 nC


主要特征
PCB 占地面積為 4mm2
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
薄型，最大高度 0.6mm


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