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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMP2900UFB P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號： DMP2900UFB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMP2900UFB
  • 名稱 P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 X1-DFN1006-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP2900UFB  

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP2900UFB 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RDS(ON))，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMP2900UFB
名稱                  P  溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  X1-DFN1006-3


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.99 A
PD @TA = +25°C (W) 1.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 750 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 1050 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1500 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.7 nC
CISS Typ (pF) 49 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V


主要特征
0.6mm2 占板面積 — 比 SOT23 小十三倍
低柵極閾值電壓
開關(guān)速度快
ESD保護(hù)柵極


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