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DMP3011SPDW 雙P 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMP3011SPDW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMP3011SPDW
  • 名稱 雙P 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP3011SPDW  

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP3011SPDW 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(on) )，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源管理應用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMP3011SPDW
名稱                  雙P  溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  PowerDI5060-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 12.1 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 38.2 A
PD @TA = +25°C (W) 2.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 13 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 20 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 25(@5v) nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 46 nC
CISS Typ (pF) 2380 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開關 (UIS) 測試 – 確保最終應用更加可靠和穩(wěn)健
熱效率封裝冷卻器運行應用
高轉換效率
低 R DS(ON) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
低輸入電容
開關速度快
用于改進光學檢測的可潤濕側面
ESD保護柵極


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