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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMP3045LFVW 30V P 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMP3045LFVW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMP3045LFVW
  • 名稱 30V P 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP3045LFVW 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP3045LFVW  這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RDS(on))，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMP3045LFVW
名稱                  30V P 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.7 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 19.9 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 42 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 65 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 2.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 13.6 nC
CISS Typ (pF) 782 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低 RDS(on) – 確保最小化通態(tài)損耗
小外形熱效率封裝可實現(xiàn)更高
密度的最終產(chǎn)品
僅占 SO-8 所占電路板面積的 33%，從而實現(xiàn)
更小的最終產(chǎn)品
ESD保護柵極


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