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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMP45H150DHE 450V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMP45H150DHE

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMP45H150DHE
  • 名稱(chēng) 450V P溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT223

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP45H150DHE 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMP45H150DHE 這款 450V 增強(qiáng)型 P 溝道 MOSFET 為用戶提供了具有競(jìng)爭(zhēng)力的規(guī)格，可提供高效的功率處理能力、高阻抗，并且不會(huì)出現(xiàn)熱失控和熱致二次擊穿。受益于該器件的應(yīng)用包括各種電信和通用高壓開(kāi)關(guān)電路。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMP45H150DHE
名稱(chēng)                  450V P溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                  SOT223


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 450 V
|VGS| (±V) 30 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 0.25 A
PD @TC = +25°C (W) 13.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 150000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.8 nC
CISS Typ (pF) 59.2 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V


主要特征
低柵極驅(qū)動(dòng)
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快


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