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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMPH3010LPS 175°C P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMPH3010LPS

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMPH3010LPS
  • 名稱 175°C P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 POWERDI®5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMPH3010LPS  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMPH3010LPS 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) )，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMPH3010LPS
名稱                  175°C P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                   臺(tái)灣
封裝                    POWERDI?5060-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 15 A
PD @TA = +25°C (W) 2.6 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 7.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 66 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 139 nC
CISS Typ (pF) 6807 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 未鉗位感應(yīng)開關(guān) (UIS) 測(cè)試
低導(dǎo)通電阻
開關(guān)速度快


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