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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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DMTH61M5SPSW 60V 175°C N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMTH61M5SPSW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMTH61M5SPSW
  • 名稱 60V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH61M5SPSW 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMTH61M5SPSW 這款新一代 N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON)，同時保持卓越的開關性能。該器件非常適合用于電源管理和負載開關。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    DMTH61M5SPSW
名稱                    60V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                    PowerDI?5060-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 225 A
PD @TA = +25°C (W) 3.2 W
PD @TC = +25°C (W) 167 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 1.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 130.6 nC
CISS Typ (pF) 8306 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度
環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開關 (UIS) 測試 –
確保最終應用更加可靠和穩(wěn)健
高轉換效率
低 RDS(ON) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
低輸入電容
開關速度快
用于改進光學檢測的可潤濕側面


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