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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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D12V0M1U2T 1 通道單向 TVS 二極管

型號： D12V0M1U2T

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 D12V0M1U2T
  • 名稱 1 通道單向 TVS
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOD523

--- 產(chǎn)品詳情 ---

D12V0M1U2T

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 D12V0M1U2T 旨在取代低工作電壓至關(guān)重要的便攜式應(yīng)用中的多層壓敏電阻 (MLV)。與 MLV 相比，它們具有卓越的電氣特性，例如更低的鉗位電壓和無器件退化。它們旨在保護敏感半導(dǎo)體元件免受靜電放電 (ESD)、閃電、電快速瞬變 (EFT) 和電纜放電事件 (CDE) 造成的損壞或干擾。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    D12V0M1U2T
名稱                    1 通道單向 TVS
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                    SOD523


產(chǎn)品參數(shù)
Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard
Maximum Peak Pulse Current IPP @ 8x20±s Max 6
AEC Qualified Yes
Configuration Uni-Directional
Channel Input CapacitanceCT Typ(pF) 45 pF
Reverse Standoff Voltage VRWM(V) 12 V
Breakdown VoltageVBR Min(V) 14.2 V
Typ Reverse Leakage Current IR @ VRWM Max(μA) 0.05 μA
Maximum Clamping Voltage @ MaxPeak Pulse CurrentVC(V) 30 V
VESD IEC61000-4-2 Contact Discharge(kV) 30 kV


主要特征
提供符合 IEC 61000-4-2 標準的 ESD 保護：空氣 ±30kV，接觸 ±30kV
1路ESD保護
保護一根電源或 I/O 線
最大峰值脈沖功率：P PP = 180W，t p = 8/20μs
低鉗位電壓


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