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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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D2V5F4U8MR ESD保護 二極管

型號： D2V5F4U8MR

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 D2V5F4U8MR
  • 名稱 ESD保護 二極管
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SO-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

D2V5F4U8MR

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 D2V5F4U8MR 這款 瞬態(tài)電壓抑制器旨在保護低電壓。它專門設(shè)計用于保護連接到高速數(shù)據(jù)和傳輸線路的敏感組件免受 ESD（靜電放電）、CDE（電纜放電事件）和 FET（快速電瞬變）引起的過壓影響。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    D2V5F4U8MR
名稱                    ESD保護 二極管
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                    SO-8


產(chǎn)品參數(shù)
Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard
Maximum Peak Pulse Current IPP @ 8x20±s Max 80
AEC Qualified Yes
Configuration Quad (Uni-Directional)
Channel Input CapacitanceCT Typ(pF) 2.1 pF
Reverse Standoff Voltage VRWM(V) 2.5 V
Breakdown VoltageVBR Min(V) 2.7 V
Maximum Clamping Voltage @ MaxPeak Pulse CurrentVC(V) 20 V
VESD IEC61000-4-2 Contact Discharge(kV) ±8 kV


主要特征
保護兩線對（四線）
低電容 < 3pF，適用于高速接口
低工作電壓和鉗位電壓
IEC 61000-4-2，4 級（ESD），> ±15KV（空氣）；> ±8KV（接觸）
IEC 61000-4-5，3 級（閃電），48A (8/20μs)


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