產(chǎn)品簡介
DIODES 的DGD05473FNQ這是一款能夠驅(qū)動 N 溝道 MOSFET 的高頻柵極驅(qū)動器。浮動高側(cè)驅(qū)動器的額定電壓高達(dá) 50V。
DGD05473 邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn) TTL 和 CMOS 電平（低至 3.3V）兼容，可輕松與 MCU 連接。高側(cè)和低側(cè)的 UVLO 可在電源丟失時保護(hù) MOSFET。為了保護(hù) MOSFET，跨導(dǎo)預(yù)防邏輯可防止 HO 和 LO 輸出同時打開。
快速且匹配良好的傳播延遲可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，從而使用更小的相關(guān)組件實(shí)現(xiàn)更小、更緊湊的電源開關(guān)設(shè)計(jì)。為了最大限度地減少空間，內(nèi)置了一個內(nèi)部自舉二極管。DGD05473 采用 U-DFN3030-10 封裝，工作溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DGD05473FNQ
名稱 高頻高側(cè) 低側(cè)柵極 驅(qū)動器
產(chǎn)地 臺灣
封裝 U-DFN3030-10
產(chǎn)品參數(shù)
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Offset Voltage Max (V) 50 V
Inputs HIN, LIN, EN
Output Current IO+ (Typ) (mA) 1500 mA
Output Current IO- (Typ) (mA) 2500 mA
tON (Typ) (ns) 20 ns
tOFF (Typ) (ns) 23 ns
tR (Typ) (ns) 16 ns
tF (Typ) (ns) 12 ns
主要特征
50V 浮動高側(cè)驅(qū)動器
以半橋配置驅(qū)動兩個 N 溝道 MOSFET
1.5A 拉電流/2.5A 灌電流輸出能力
包含內(nèi)部自舉二極管 ?
用于高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器的欠壓鎖定
延遲匹配最大值為 5ns
傳播延遲典型值為 20ns
邏輯輸入（HIN、LIN 和 EN）3.3V 能力
超低待機(jī)電流 (<1μA)
擴(kuò)展溫度范圍：-40°C 至 +125°C
完全領(lǐng)先-不含且完全符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)（注釋 1 和 2）
不含鹵素和銻。“綠色”器件（注 3）
符合 AEC-Q100 高可靠性標(biāo)準(zhǔn)
支持 PPAP（注 4）
相關(guān)型號
AH3366Q
AH3367Q
AH3368Q
AH3369Q
AH3390Q
AH3391Q
AH3562Q
AH3563Q
AH3564Q
AH3712Q
AH3762Q
AH3763Q
AH3764Q
AH3765Q
AH3766Q
AH3767Q
AH3768Q
AH3769Q
AH3965Q
AH3966Q
AH3967Q
AH3968Q
AH3975Q
AH3976Q
AH3977Q
AH3978Q
AP61100Q
AP61102Q
AP61300Q
AP61302Q
AP63200Q
AP63201Q
AP63203Q
AP63205Q
AP63300Q
AP63301Q
AP63356Q
AP63357Q
AP64060Q
AP64100Q
AP64102Q
AP64200Q
AP64202Q
AP64350Q
AP64351Q
AP64352Q
AP64500Q
AP64501Q
AP64502Q
AP66200Q
AP66300Q
DGD0211CWTQ
DGD0280WTQ
DGD05473FNQ
DGD0597FUQ
AL8843Q
AL8860Q
AL8861Q
AL8862Q
AL8871Q
