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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造，致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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Si2338DS-T1-GE3-VB-SOT23封裝N溝道MOSFET

型號(hào)： Si2338DS-T1-GE3-VB
品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 頻道類型 N溝道
  • 額定電壓 30V
  • 額定電流 6.5A
  • RDS(ON) 30mΩ @ 10V，33mΩ @ 4.5V
  • 門源電壓范圍 ±20V
  • 門源閾值電壓范圍 1.2V~2.2V
  • 封裝類型 SOT23

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

Si2338DS-T1-GE3.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào) Si2338DST1GE3絲印 VB1330品牌 VBsemi參數(shù)  頻道類型 N溝道 額定電壓 30V 額定電流 6.5A RDS(ON) 30mΩ @ 10V，33mΩ @ 4.5V 門源電壓范圍 ±20V  門源閾值電壓范圍 1.2V~2.2V封裝類型 SOT23應(yīng)用簡(jiǎn)介 Si2338DST1GE3（絲印 VB1330）是VBsemi公司生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。以下是詳細(xì)的參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 Si2338DST1GE3是一款N溝道功率MOSFET，適用于電感負(fù)載、開(kāi)關(guān)電源和直流直流轉(zhuǎn)換器等需要高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用。主要參數(shù)包括額定電壓為30V，額定電流為6.5A，RDS(ON)為30mΩ @ 10V，33mΩ @ 4.5V，門源電壓范圍為±20V，門源閾值電壓范圍為1.2V~2.2V，封裝類型為SOT23。應(yīng)用領(lǐng)域 Si2338DST1GE3（VB1330）適用于多種領(lǐng)域和應(yīng)用場(chǎng)景，主要用于需要N溝道功率MOSFET的高電流電路。以下是一些典型的應(yīng)用領(lǐng)域 1. 電源管理模塊 Si2338DST1GE3可用于電源管理模塊中，提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流輸出，改善系統(tǒng)的功耗和效率。2. 電動(dòng)工具和家用電器 它可應(yīng)用于電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，提供高效、可靠的電力輸出。3. 汽車電子系統(tǒng) Si2338DST1GE3適用于汽車電子系統(tǒng)中的電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和照明控制等方面，滿足汽車電子系統(tǒng)對(duì)高電流和高功率的要求。4. 工控系統(tǒng)和通信設(shè)備 Si2338DST1GE3適用于工控系統(tǒng)和通信設(shè)備中的開(kāi)關(guān)電路，提供穩(wěn)定的電源管理和電流控制。綜上所述，Si2338DST1GE3（VB1330）是一款N溝道功率MOSFET，適用于電源管理模塊、電動(dòng)工具、汽車電子系統(tǒng)、工控系統(tǒng)和通信設(shè)備等領(lǐng)域模塊。它具有高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)，適用于需要高功率和高效能的電路。
 

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