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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造，致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SI2307DS-T1-GE3-VB-SOT23封裝P溝道MOSFET

型號： SI2307DS-T1-GE3-VB
品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 類型 P溝道
  • 額定電壓(VDS) 30V
  • 額定電流(ID) 5.6A
  • (RDS(ON)) 47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V
  • 閾值電壓(Vth) 1V
  • 封裝類型 SOT23

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

SI2307DS-T1-GE3.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號  SI2307DST1GE3絲印  VB2355品牌  VBsemi參數(shù)說明  MOSFET類型  P溝道 額定電壓(VDS)  30V  額定電流(ID)  5.6A  開通電阻(RDS(ON))  47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V  閾值電壓(Vth)  1V  封裝類型  SOT23應(yīng)用簡介 這款SI2307DST1GE3 MOSFET是一款低壓P溝道MOSFET，適用于低壓應(yīng)用場景。它具有較低的額定電壓和額定電流，適用于低功率開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。這款MOSFET可以廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域的模塊  電源管理模塊 用于低壓開關(guān)電源、DCDC變換器、逆變器等低功率電源模塊。 電池管理模塊 用于低壓電池充放電保護、電池管理系統(tǒng)等低功率電池應(yīng)用。 小功率開關(guān)模塊 用于低壓開關(guān)電路、低功率開關(guān)控制等低功率應(yīng)用。 消費電子模塊 用于低壓低功率的消費電子產(chǎn)品中的功率管理和開關(guān)模塊?？傊?，SI2307DST1GE3 MOSFET適用于需要低壓低功率P溝道MOSFET的各種應(yīng)用場景，提供穩(wěn)定可靠的電流控制和低功率轉(zhuǎn)換功能，特別適用于低壓低功率應(yīng)用的模塊。
 

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