型號 SI2369DST1GE3絲印 VB2355品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 5.6A 導通電阻 47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1Vth 封裝 SOT23應用簡介 SI2369DST1GE3是一款P溝道MOSFET，適用于負極電壓控制和負載開關的應用。其最大耐壓為30V，最大電流為5.6A，具有低導通電阻和高性能。該器件適用于多個領域的模塊設計，主要包括 1. 電源管理模塊 適用于負責電源開關和負載開關控制的電源管理模塊。2. 電動工具 可用于電動工具中的負極電源控制和負載開關。3. 家用電器模塊 適用于家用電器領域中的負極電源控制和負載開關。總之，SI2369DST1GE3適用于負極電壓控制和負載開關等應用領域的模塊設計，主要用于電源管理、電動工具和家用電器模塊等。
--- 產品參數 ---
- 類型 P溝道
- 最大耐壓 30V
- 最大電流 5.6A
- 導通電阻 47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 門閾電壓 1Vth
- 封裝 SOT23
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
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