企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造，致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

9.4k 內(nèi)容數(shù) 21w+ 瀏覽量 7 粉絲

SIR422DP-T1-GE3-VB-DFN8(5X6)封裝N溝道MOSFET

型號(hào)： SIR422DP-T1-GE3-VB
品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 極性 N溝道
  • 額定電壓 40V
  • 額定電流 75A
  • 導(dǎo)通電阻 4.7mΩ @ 10V, 6mΩ @ 4.5V
  • 門(mén)源電壓 20Vgs (±V)
  • 閾值電壓 1.9Vth (V)
  • 封裝類型 DFN8 (5X6)

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

SIR422DP-T1-GE3.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SIR422DPT1GE詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明  極性 N溝道 額定電壓 40V 額定電流 75A 導(dǎo)通電阻 4.7mΩ @ 10V, 6mΩ @ 4.5V 門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓 1.9Vth (V) 封裝類型 DFN8 (5X6)應(yīng)用簡(jiǎn)介 SIR422DPT1GE3是一款N溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應(yīng)用。具有較高的額定電壓和額定電流特性，能夠提供可靠且高效的電流開(kāi)關(guān)功能。通過(guò)控制20Vgs (±V)的門(mén)源電壓，可以實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通和截止，實(shí)現(xiàn)電流的控制和開(kāi)關(guān)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換。其較低的導(dǎo)通電阻可以降低功耗，并提高系統(tǒng)的效率。SIR422DPT1GE3采用DFN8 (5X6)封裝，適用于各種電路板和模塊中使用。該器件廣泛應(yīng)用于電源開(kāi)關(guān)、電源逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等領(lǐng)域。由于其較高的額定電壓和額定電流特性，SIR422DPT1GE3特別適用于需要高功率和高電流傳輸?shù)膽?yīng)用領(lǐng)域。在這些領(lǐng)域中，它能夠提供可靠的功率開(kāi)關(guān)控制和電流傳輸?？傊?，SIR422DPT1GE3是一款N溝道MOSFET，適用于電源管理和功率放大器等應(yīng)用模塊。特別適用于需要高功率和高電流傳輸?shù)念I(lǐng)域，如電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。
 

為你推薦