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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造，致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SI2323DS-T1-GE3-VB-SOT23封裝P溝道MOSFET

型號(hào)： SI2323DS-T1-GE3-VB
品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 類型 P溝道
  • 最大耐壓 30V
  • 最大電流 5.6A
  • 導(dǎo)通電阻 47mΩ @10V, 56mΩ @4.5V
  • 門源電壓 20Vgs (±V)
  • 門閾電壓 1Vth
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào) SI2323DST1GE3絲印 VB2355品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明  類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 5.6A 導(dǎo)通電阻 47mΩ @10V, 56mΩ @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1Vth 封裝 SOT23應(yīng)用簡(jiǎn)介 SI2323DST1GE3 是一款 P 溝道 MOSFET，適用于負(fù)電壓控制和負(fù)載開關(guān)的應(yīng)用。其最大耐壓為30V，最大電流為5.6A，具有低導(dǎo)通電阻和高性能。該器件適用于多個(gè)領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)，主要包括 1. 電源管理模塊 適用于負(fù)責(zé)電源開關(guān)和負(fù)載開關(guān)控制的電源管理模塊。2. 轉(zhuǎn)換器模塊 可用于負(fù)責(zé)負(fù)電壓轉(zhuǎn)換和逆變的轉(zhuǎn)換器模塊。3. 便攜式設(shè)備 適用于便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)和電源控制?？傊?，SI2323DST1GE3 適用于負(fù)電壓控制和負(fù)載開關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)，主要用于電源管理、轉(zhuǎn)換器模塊和便攜式設(shè)備等領(lǐng)域。
 

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