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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPD036N04LG-VB-TO252封裝N溝道MOSFET

型號: IPD036N04LG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最大額定電壓 40V
  • 最大額定電流 85A
  • RDS(ON) 4mΩ @ 10V, 5mΩ @ 4.5V,
  • 門閾電壓 1.85V
  • 封裝類型 TO252

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號  IPD036N04LG-VB
 絲印  VBE1405
 品牌  VBsemi
 N溝道
 最大額定電壓  40V
 最大額定電流  85A
 RDS(ON)  4mΩ @ 10V, 5mΩ @ 4.5V, 20Vgs(-V)
 門閾電壓  1.85V
 封裝類型  TO252

應(yīng)用簡介  
IPD036N04LG-VB適用于許多領(lǐng)域的需求,如電源管理、電機驅(qū)動和逆變器等。

領(lǐng)域模塊應(yīng)用  
1. 電源管理領(lǐng)域  該器件可用作電源管理模塊中的電源開關(guān),用于控制電源的開關(guān)和調(diào)節(jié)。
2. 電機驅(qū)動領(lǐng)域  IPD036N04LG-VB可用于電機驅(qū)動模塊中,用于控制電機的轉(zhuǎn)速和方向。
3. 逆變器領(lǐng)域  在逆變器模塊中,IPD036N04LG-VB可用于控制電源的變換和調(diào)節(jié),用于轉(zhuǎn)換直流電源為交流電源。

總結(jié)  
IPD036N04LG-VB是一款N溝道MOSFET器件,適用于電源管理、電機驅(qū)動和逆變器等領(lǐng)域的模塊中。其特點包括較高額定電流和低導(dǎo)通電阻,在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用中提供可靠且高效的性能。

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