型號 STD30NF04LT-VB
絲印 VBE1410
品牌 VBsemi
參數(shù)
類型 N溝道
額定電壓（Vds） 40V
最大持續(xù)電流（Id） 50A
導通電阻（RDS(ON)） 12mΩ @ 10V, 14mΩ @ 4.5V
門源電壓范圍（Vgs） 20V（正負）
閾值電壓（Vth） 1.78V
封裝 TO252
應用簡介
STD30NF04LT-VB是一款N溝道場效應晶體管（MOSFET），具有低導通電阻和高電流承受能力。它適用于多種應用領(lǐng)域，特別是需要高電流開關(guān)和電源控制的應用。
詳細參數(shù)說明
1. **類型** 這是一款N溝道MOSFET，意味著它在輸入正電壓時導通。這種類型的MOSFET常用于開關(guān)和調(diào)節(jié)電路中。
2. **額定電壓（Vds）** 它可以承受的最大漏極-源極電壓為40V。這表示在正常工作條件下，其電壓應不超過40V。
3. **最大持續(xù)電流（Id）** 這款MOSFET的最大電流承受能力為50A。它可以處理高電流負載。
4. **導通電阻（RDS(ON)）** RDS(ON)是導通狀態(tài)下的電阻，它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下，它的RDS(ON)為12mΩ，而在4.5V下為14mΩ。低導通電阻表示它可以在導通狀態(tài)下產(chǎn)生較少的功耗。
5. **門源電壓范圍（Vgs）** MOSFET的門源電壓范圍為20V，這表示需要至少20V的電壓來控制它的導通狀態(tài)。
6. **閾值電壓（Vth）** MOSFET的閾值電壓為1.78V。這是啟動MOSFET導通的門源電壓。
7. **封裝** 這款MOSFET采用TO252封裝，這是一種常見的封裝類型，方便在電路板上安裝和連接。
應用領(lǐng)域
STD30NF04LT-VB這種高性能N溝道MOSFET可以用于多種應用，包括但不限于以下領(lǐng)域
1. **電源供應器** 它可以用于開關(guān)電源和線性電源，幫助實現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換和電流控制。
2. **電機控制** 在電機驅(qū)動器中，它可以用于控制電機的速度和方向。
3. **照明控制** 在LED照明系統(tǒng)中，它可以用于開關(guān)和調(diào)光控制。
4. **電池管理** 在充電和放電電路中，它可以用于電池保護和電流管理。
5. **工業(yè)自動化** 用于控制和監(jiān)控工業(yè)設(shè)備和機器。
總之，這款MOSFET適用于需要高電流和低導通電阻的電子電路應用，并廣泛用于工業(yè)、電子、通信和電源領(lǐng)域的模塊和設(shè)備中。
