型號 TN0200K-T1-E3-VB
絲印 VB1240
品牌 VBsemi
參數(shù)
類型 N溝道
最大耐壓 20V
最大電流 6A
靜態(tài)開啟電阻 (RDS(ON)) 24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V
門源極電壓 (Vgs) 8V (±V)
閾值電壓 (Vth) 0.45~1V
封裝類型 SOT23
應(yīng)用簡介
TN0200K-T1-E3-VB是一款N溝道MOSFET，適用于多種低功率電子應(yīng)用，以下是一些可能的應(yīng)用領(lǐng)域
1. 電源模塊 這款MOSFET可用于小型電源模塊中的功率開關(guān)，幫助提高電源管理的效率，適用于便攜式設(shè)備、嵌入式系統(tǒng)和電源逆變器。
2. 電池管理 它還可以用于電池管理系統(tǒng)中，控制電池的充電和放電，確保電池的安全和性能。
3. 低功耗電子 由于其低靜態(tài)閾值電壓和低導(dǎo)通電阻，適用于需要低功耗操作的電子設(shè)備，如傳感器節(jié)點(diǎn)、便攜式醫(yī)療設(shè)備和無線通信模塊。
4. 模擬電路 在一些模擬電路中，如信號放大器和濾波器，可以使用TN0200K-T1-E3-VB來實(shí)現(xiàn)精確的信號控制。
5. LED驅(qū)動 可用于LED照明應(yīng)用中，幫助實(shí)現(xiàn)高效的LED燈控制和驅(qū)動。
這款MOSFET的特性使其適用于多種低功率電子應(yīng)用，尤其是在有限的空間內(nèi)需要高性能的情況下。然而，在選擇和使用該器件時(shí)，仍然需要詳細(xì)了解其數(shù)據(jù)手冊和性能參數(shù)，以確保其滿足特定應(yīng)用的要求。
