型號 STD25N10F7-VB
絲印 VBE1104N
品牌 VBsemi
參數(shù)
類型 N溝道
額定電壓（Vds） 100V
最大持續(xù)電流（Id） 40A
導(dǎo)通電阻（RDS(ON)） 30mΩ @ 10V
門源電壓范圍（Vgs） 20V（正負(fù)）
閾值電壓（Vth） 1.8V
封裝 TO252
應(yīng)用簡介
STD25N10F7-VB是一款N溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），具有高額定電壓和電流承受能力。它適用于需要高電壓和高電流開關(guān)的領(lǐng)域，如電源開關(guān)、電機(jī)控制和工業(yè)應(yīng)用。
詳細(xì)參數(shù)說明
1. 類型 這是一款N溝道MOSFET，意味著它在輸入正電壓時(shí)導(dǎo)通。這種類型的MOSFET通常用于開關(guān)和調(diào)節(jié)電路中。
2. 額定電壓（Vds） 它可以承受的最大漏極-源極電壓為100V。這表示在正常工作條件下，其電壓可以達(dá)到100V。
3. 最大持續(xù)電流（Id） 這款MOSFET的最大電流承受能力為40A。這使它能夠處理高電流負(fù)載。
4. 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)） RDS(ON)是導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻，它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下，它的RDS(ON)為30mΩ，表示在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗相對較低。
5. 門源電壓范圍（Vgs） MOSFET的門源電壓范圍為20V，這表示需要至多20V的電壓來控制它的導(dǎo)通狀態(tài)。
6. 閾值電壓（Vth） 這款MOSFET的閾值電壓為1.8V。這是啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通的門源電壓。
7. 封裝 這款MOSFET采用TO252封裝，這是一種常見的功率封裝類型，適用于高功率電子應(yīng)用。
應(yīng)用領(lǐng)域
STD25N10F7-VB這款MOSFET適用于多種需要高電壓和高電流開關(guān)的電子模塊和設(shè)備，包括但不限于以下領(lǐng)域模塊
1. 電源開關(guān) 可用于高電壓開關(guān)電源，如電壓轉(zhuǎn)換和電源穩(wěn)定。
2. 電機(jī)控制 在電機(jī)控制器中用于控制電機(jī)的速度和方向，特別是用于工業(yè)電機(jī)。
3. 電力逆變器 用于逆變器電路，將直流電轉(zhuǎn)換為交流電，如太陽能逆變器和電力逆變器。
4. 高電壓電源管理 用于高電壓電源管理和電流控制電路，如工業(yè)控制系統(tǒng)。
5. 電動(dòng)工具 在需要高功率和高效能的電動(dòng)工具中，如電動(dòng)鉆機(jī)和電鋸。
總之，這款N溝道MOSFET適用于需要高電壓和高電流開關(guān)的電子模塊和設(shè)備，提供電源控制和電流管理的功能，特別是在高功率和工業(yè)應(yīng)用中。
