型號 NTD5865NLT4G-VB
絲印 VBE1615
品牌 VBsemi
參數(shù)
類型 N溝道
最大耐壓 60V
最大電流 60A
靜態(tài)開啟電阻 (RDS(ON)) 9mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V
門源極電壓 (Vgs) 20V (±V)
閾值電壓 (Vth) 1.87V
封裝類型 TO252
應用簡介
NTD5865NLT4G-VB是一款高功率N溝道MOSFET，適用于需要高電壓和高電流承受能力的電子應用，以下是一些可能的應用領域
1. 電源模塊 這款MOSFET可用于電源模塊中的功率開關，可應用于工業(yè)電源、電動工具和電動車輛充電器等高功率應用中，以提高電源效率。
2. 電機驅(qū)動 NTD5865NLT4G-VB可用于高功率電機驅(qū)動電路，如工業(yè)電機控制、電動汽車電機驅(qū)動器等，以實現(xiàn)高效的電機運行。
3. 高功率逆變器 在需要高功率逆變器的應用中，如電焊設備和高功率電爐，這款MOSFET可以用作關鍵的開關元件。
4. 電池管理 它還可以用于電池管理系統(tǒng)中，控制電池的充電和放電，確保電池的安全和性能。
5. 汽車電子 由于其高電壓和電流特性，這種MOSFET也適用于汽車電子系統(tǒng)，如車輛電源管理和驅(qū)動控制。
NTD5865NLT4G-VB的高電壓和電流承受能力，以及低導通電阻，使其成為各種高性能、高功率電子應用的理想選擇。然而，在選擇和使用該器件時，仍然需要詳細了解其數(shù)據(jù)手冊和性能參數(shù)，以確保其滿足特定應用的要求。
