型號(hào) FDD4685-VB
絲印 VBE2412
品牌 VBsemi
參數(shù)
類型 P溝道
額定電壓（Vds） -40V
最大持續(xù)電流（Id） -65A
導(dǎo)通電阻（RDS(ON)） 10mΩ @ 10V
門(mén)源電壓范圍（Vgs） 20V（正負(fù)）
閾值電壓（Vth） -1.6V
封裝 TO252
應(yīng)用簡(jiǎn)介
FDD4685-VB是一款P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），具有高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻。它適用于需要高電流開(kāi)關(guān)的領(lǐng)域，如電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)控制和電池保護(hù)。
詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
1. 類型 這是一款P溝道MOSFET，意味著它在輸入負(fù)向電壓時(shí)導(dǎo)通。這種類型的MOSFET通常用于需要負(fù)向電壓操作的電路中。
2. 額定電壓（Vds） 它可以承受的最大漏極-源極電壓為-40V。這表示它可以在負(fù)向電壓條件下工作。
3. 最大持續(xù)電流（Id） 這款MOSFET的最大電流承受能力為-65A。負(fù)號(hào)表示電流流向是從源到漏極，這使其能夠處理高電流負(fù)載。
4. 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)） RDS(ON)是導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻，它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門(mén)源電壓下，它的RDS(ON)為10mΩ，表示在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗非常低。
5. 門(mén)源電壓范圍（Vgs） MOSFET的門(mén)源電壓范圍為20V，這表示需要至多20V的電壓來(lái)控制它的導(dǎo)通狀態(tài)。
6. 閾值電壓（Vth） 這款MOSFET的閾值電壓為-1.6V。這是啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通的門(mén)源電壓。
7. 封裝 這款MOSFET采用TO252封裝，這是一種常見(jiàn)的功率封裝類型，適用于高功率電子應(yīng)用。
應(yīng)用領(lǐng)域
FDD4685-VB這款MOSFET適用于多種需要高電流開(kāi)關(guān)的電子模塊和設(shè)備，包括但不限于以下領(lǐng)域模塊
1. 電源開(kāi)關(guān) 可用于高電流電源開(kāi)關(guān)，如電壓轉(zhuǎn)換和電源穩(wěn)定。
2. 電機(jī)控制 在電機(jī)控制器中用于控制電機(jī)的速度和方向，特別是用于工業(yè)電機(jī)。
3. 電池保護(hù) 可用于電池保護(hù)電路，以確保電池不過(guò)充電或過(guò)放電，同時(shí)處理高電流。
4. 高電流負(fù)載開(kāi)關(guān) 用于高電流負(fù)載的通斷控制，如電動(dòng)工具、電焊機(jī)和電動(dòng)車輛。
5. 電源管理 在需要高電流開(kāi)關(guān)和電流控制的電源管理電路中使用，如工業(yè)控制系統(tǒng)。
總之，這款P溝道MOSFET適用于需要高電流開(kāi)關(guān)的電子模塊和設(shè)備，提供電源控制和電流管理的功能，特別是在高電流和高功率應(yīng)用中。
