--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 P溝道
- 工作電壓 -30V
- 工作電流 -6A
- 開通電阻 40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V)
- 閾值電壓 -1.5Vth(V)
- 封裝 SOP8
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號 SI9435DY-T1-E3-VB
絲印 VBA2333
品牌 VBsemi
參數(shù)
P溝道
工作電壓 -30V
工作電流 -6A
開通電阻 40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V)
閾值電壓 -1.5Vth(V)
封裝 SOP8
詳細參數(shù)說明
1. 本產(chǎn)品為P溝道MOSFET,適用于負極性電壓應用。
2. 工作電壓為-30V,可在-30V的電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
3. 最大工作電流為-6A,允許通過的最大電流為6A。
4. 開通電阻為40mΩ@10V和54mΩ@4.5V,20Vgs(±V),表示在不同電壓下的導通狀態(tài)時的電阻值。
5. 閾值電壓為-1.5Vth(V),表示正向才能使MOSFET導通的電壓。
應用簡介
本產(chǎn)品適用于需要負極性電源的應用場景,例如
1. 電源管理模塊 用于負極性電源的開關控制和電流管理。
2. 電源逆變器 用于將正極性電源逆變?yōu)樨摌O性電源,適用于負極性電壓要求的場景。
這些產(chǎn)品主要用在需要負極性電源的模塊中,例如電源管理模塊和電源逆變器。
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