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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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F658-E030MK 高壓-大功率GaN HEMT

型號(hào)： F658-E030MK

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號(hào) F658-E030MK
  • 名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 DFN

--- 產(chǎn)品詳情 ---

F658-E030MK

型號(hào)簡介
Sumitomo的SEDI的GaN HEMT提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作，并為您提供更高的增益。該設(shè)備的目標(biāo)應(yīng)用是低電流和寬帶高電壓應(yīng)用。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號(hào)                    F658-E030MK
名稱                    GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    DFN
 

型號(hào)參數(shù)
高壓操作：VDS=50V
高功率：46.5dBm（典型值）@Psat
高效率：55%（典型值）@Psat
線性增益：16.0dB（典型值）@f=2.7GHz
經(jīng)驗(yàn)證的可靠性


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