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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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ELM1314-30F/001 Ku波段內(nèi)部匹配FET

型號： ELM1314-30F/001

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 ELM1314-30F/001
  • 名稱 IMFET GaAs 砷化鎵IMFET
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 M2A

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ELM1314-30F/001

型號簡介
Sumitomo的ELM1314-30F/001是一種內(nèi)部匹配的功率GaAs FET用于標(biāo)準(zhǔn)通信頻帶，以提供最佳功率和50歐姆系統(tǒng)中的增益。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    ELM1314-30F/001
名稱                    IMFET GaAs 砷化鎵IMFET
產(chǎn)地                    日本
封裝                    M2A
 

型號參數(shù)
高輸出功率：P1dB=44.5dBm（典型值）
高增益：G1dB=5.5dB（典型值）
高PAE：ηadd=22%（典型值）
寬帶：13.75至14.5GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50歐姆
密封包裝


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