型號(hào)：NTD4863NT4G-VB
絲印：VBE1307
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 溝道類型：N溝道
- 額定電壓：30V
- 最大連續(xù)電流：60A
- 靜態(tài)開啟電阻（RDS(ON)）：10mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓（Vgs）：20V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：1.6V
- 封裝類型：TO252
應(yīng)用簡(jiǎn)介：
NTD4863NT4G-VB 是一款N溝道功率MOSFET，具有高電流和低導(dǎo)通電阻，適用于需要高性能功率開關(guān)的電子應(yīng)用。以下是一些可能的應(yīng)用領(lǐng)域模塊：
1. **電源開關(guān)模塊**：該MOSFET可用于電源開關(guān)模塊，以實(shí)現(xiàn)電源的開關(guān)和調(diào)節(jié)。它具有高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻，適用于高功率電源系統(tǒng)。
2. **電機(jī)控制模塊**：NTD4863NT4G-VB 可用于電機(jī)控制模塊，包括直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)和無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)。其低導(dǎo)通電阻有助于提高電機(jī)效率和性能。
3. **電池保護(hù)模塊**：在電池供電系統(tǒng)中，此MOSFET可用于電池保護(hù)電路，以防止過放電和過充電。其高電流和電壓特性使其適用于處理高功率電池。
4. **DC-DC變換器**：在DC-DC變換器中，NTD4863NT4G-VB 可用作開關(guān)器件，以幫助實(shí)現(xiàn)電壓升降和電能轉(zhuǎn)換。
5. **電子負(fù)載模塊**：在需要高電流負(fù)載開關(guān)的應(yīng)用中，例如電子負(fù)載或電源測(cè)試設(shè)備，該MOSFET可以用來實(shí)現(xiàn)高功率開關(guān)。
這些是一些可能用到 NTD4863NT4G-VB N溝道MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域模塊的示例。該器件的參數(shù)使其適用于需要處理高電流和功率的應(yīng)用，特別是在需要低導(dǎo)通電阻的場(chǎng)合。在實(shí)際應(yīng)用中，請(qǐng)務(wù)必遵守?cái)?shù)據(jù)手冊(cè)中的電氣規(guī)格和工作條件，以確保最佳性能和可靠性。
