型號：SSM3J332R-VB
絲印：VB2355
品牌：VBsemi
參數(shù)說明：
- 極性：P溝道
- 額定電壓：-30V
- 最大連續(xù)漏極電流：-5.6A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻（RDS(ON)）：47mΩ @ 10V，56mΩ @ 4.5V
- 門極-源極電壓（Vgs）：20V（±V）
- 開啟電壓（門極閾值電壓）：-1V
- 封裝：SOT23
應用簡介：
SSM3J332R-VB是一款P溝道場效應晶體管（MOSFET）器件，具有適中的電流承受能力和適用于低電壓應用的低漏極-源極電阻。這使其在多種電子應用領域中非常有用。
應用領域：
1. **電源模塊**：SSM3J332R-VB適用于低電壓電源管理模塊，如電池充放電管理、低電壓DC-DC變換器和電源開關。
2. **信號開關**：這種MOSFET器件可用于低電壓信號開關應用，例如低電壓信號切換和電路保護。
3. **便攜式設備**：SSM3J332R-VB可用于便攜式設備的電源管理、信號開關和電池管理，如智能手機、平板電腦和便攜式電子設備。
4. **低電壓電源**：在低電壓應用中，這種MOSFET適用于低電壓電源管理、DC-DC變換器和低電壓電路。
總之，SSM3J332R-VB是一款多功能的電子器件，適用于需要低電壓、適中電流承受能力、低電阻和可靠性的各種電子應用領域。它可以用于電源管理、信號開關、便攜式設備、低電壓電源等模塊。
